# | Part Number | Order | Mounting Style | Package/Case | Number of Channels | Transistor Polarity | Vds - Drain - Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain - Source Resistance | Vgs - Gate - Source Voltage | Vgs th - Gate - Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Channel Mode | Packaging |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor![]() |
MMBF170LT1G ماسفت 60 ولت 500 میلی آمپر
SOT-23 N-Channel |
2 : 51,042 Rials10 : 49,971 Rials100 : 48,543 Rials1000 : 47,473 Rials3000 : 46,759 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 60V | 500mA | 5Ω | 10V | 800mV | --- | -55C | +150C | 225mW | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRLML2502TRPBF MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl |
2 : 46,041 Rials25 : 44,602 Rials250 : 43,164 Rials1000 : 41,725 Rials3000 : 40,286 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 20V | 4.2A | 45mΩ | ±12V | 1.8V | 12nC | -55C | +150C | 1.3W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRLML6402TRPBF ماسفت 20 ولت 3.7 آمپر
SOT-23 P-Channel |
1 : 42,847 Rials10 : 41,665 Rials100 : 40,188 Rials1000 : 39,301 Rials3000 : 38,710 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 20V | 3.7A | 65mΩ | 12V | 4V | 8nC | -55C | +150C | 1.3W | Single | Enhancement | Reel |
ElecSuper![]() |
2N7002 ماسفت 60 ولت 380 میلی آمپر
SOT-23 N-Channel |
10 : 4,347 Rials100 : 4,202 Rials1000 : 4,057 Rials3000 : 3,912 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 60V | 300mA | 1.5Ω | ±20V | 1.5V | 1.12nC | -55C | +200C | 350mW | Single | Enhancement | Reel |
Philips![]() |
PHD45N03LTA N-CHANNEL MOSFET |
1 : 110,492 Rials10 : 107,039 Rials100 : 103,587 Rials1000 : 100,134 Rials2500 : 96,681 Rials |
SMD/SMT | DPAK | - | N-Channel | 25V | 40A | 21mΩ | 20V | 2V | 19nC | -55C | +175C | 65W | - | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRLML2803TRPBF |
2 : 34,704 Rials10 : 33,727 Rials100 : 33,238 Rials1000 : 32,505 Rials3000 : 32,016 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 30V | 1.2A | 400mΩ | ±20V | 1V | 3.3nC | -55C | +175C | 540mW | Single | Enhancement | Reel |
Diodes Incorporated![]() |
DMP1045U-7 ماسفت 12 ولت 4.3 آمپر
SOT-23 P-Channel |
1 : 34,278 Rials10 : 33,096 Rials100 : 32,386 Rials1000 : 31,559 Rials3000 : 30,968 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 12V | 4.3A | 31mΩ | 4.5V | 300mV | 15.8nC | -55C | +150C | 1.3W | Single | Enhancement | Reel |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3400A 30V 5.7A 1.4W N Channel SOT-23-3L MOSFETs |
5 : 23,552 Rials25 : 22,792 Rials250 : 22,032 Rials1000 : 21,273 Rials3000 : 20,513 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 30V | 5.7A | 18mΩ | ±12V | 650mV | 6nC | -55C | +150C | 1.4W | Single | Enhancement | Reel |
UMW![]() |
IRF7307TR(UMW) ماسفت دوبل 20 ولت N و P با پکیج SO-8
|
1 : 57,699 Rials10 : 55,896 Rials100 : 54,093 Rials500 : 52,289 Rials3000 : 50,486 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 2 | N-Channel, P-Channel | 20V | 5.7A, 4.3A | 53mΩ, 100mΩ | ±12V | 700mV | 20nC, 22nC | -55C | +150C | 2W | Dual | Enhancement | Reel |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3401A ماسفت 30 ولت 4 آمپر کانال p |
5 : 24,697 Rials25 : 23,901 Rials250 : 23,104 Rials1000 : 22,307 Rials3000 : 21,510 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 30V | 4A | 41mΩ | ±12V | 500mV | 14nC | -55C | +150C | 1.4W | Single | Enhancement | Reel |
Fortune Semicon![]() |
FS8205 Dual N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet with SOT-23-6 Package |
2 : 35,501 Rials25 : 34,277 Rials500 : 33,053 Rials3000 : 32,074 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-6 | 2 | Dual N-Channel | 20V | 6A | 28mΩ | ±12V | 450mV | - | -55C | +150C | 1W | Dual | Enhancement | Reel |
Diodes Incorporated![]() |
DMN2058U-7 20V 4.6A, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
5 : 19,432 Rials50 : 18,762 Rials500 : 18,092 Rials3000 : 17,556 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 20V | 4.6A | 35mΩ | ±12V | 400mV | 7.7nC | -55C | +150C | 1.13W | Single | Enhancement | Reel |
ON Semiconductor![]() |
MMBF4392LT1G JFET 30V 10mA |
1 : 85,917 Rials10 : 83,496 Rials100 : 81,681 Rials1000 : 80,471 Rials3000 : 79,261 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 30V | 50mA | 60Ω | 30V | - | - | -55C | +200C | 225mW | Single | Enhancement | Reel |
Jiangsu Changjing Electronics Technology![]() |
CJ2310 60V 3A 105mΩ@10V,3A 350mW N Channel SOT-23 MOSFETs |
5 : 14,151 Rials50 : 13,695 Rials500 : 13,238 Rials3000 : 12,782 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 60V | 3A | 105mΩ | ±20V | 500mV | 6nC | -55C | +150C | 350mW | Single | Enhancement | Reel |
ON Semiconductor![]() |
FDV303N ماسفت 25 ولت 680 میلی آمپر
SOT-23 N-Channel
|
10 : 26,462 Rials100 : 25,550 Rials1000 : 24,638 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 25V | 680mA | 450mΩ | 8V | --- | --- | -55C | +150C | 350mW | Single | Enhancement | Reel |
Diodes Incorporated![]() |
BSS138Q-7-F MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 50V 200mA |
2 : 35,361 Rials25 : 34,141 Rials500 : 32,922 Rials3000 : 31,946 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 50V | 200mA | 3.5Ω | ±20V | 500mV | - | -55C | +150C | 300mW | Single | Enhancement | Reel |
Diodes Incorporated![]() |
DMG2302UK-7 ماسفت منفی 20 ولت 2.8 آمپر |
1 : 26,347 Rials10 : 25,795 Rials100 : 25,334 Rials1000 : 24,873 Rials3000 : 24,505 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 20V | 2.8A | 90mΩ | ±12V | 300mV | 1.4nC | -55C | +150C | 660mW | Single | Enhancement | Reel |
Diodes Incorporated![]() |
DMT6012LSS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
1 : 131,019 Rials10 : 128,547 Rials100 : 126,899 Rials1000 : 125,663 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | - | N-Channel | 60V | 10.4A | 11mΩ | 20V | 2V | - | -55C | +200C | 13.4W | - | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
IRFZ44NPBF ماسفت 55 ولت 49 آمپر
TO-220 N-Channel |
1 : 153,738 Rials10 : 152,029 Rials100 : 150,321 Rials500 : 149,182 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 55V | 49A | 23mΩ | ±20V | 1.8V | 42nC | -55C | +175C | 83W | Single | Enhancement | Tube |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
FDD6690A MOSFET 30V 46A N-CH |
1 : 67,912 Rials10 : 65,570 Rials100 : 63,228 Rials1000 : 61,355 Rials |
SMD/SMT | DPAK-3 | 1 | N-Channel | 30V | 46A | 12mΩ | ±20V | 1V | 18nC | -55C | +175C | 3.3W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRLML6401TRPBF P-Channel MOSFET -12V -4.3A |
2 : 44,668 Rials25 : 43,128 Rials500 : 41,588 Rials1000 : 40,355 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 12V | 4.3A | 50mΩ | ±8V | 4V | 15nC | -55C | +150C | 1.3W | Single | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
IRF9540NPBF ماسفت 100 ولت 23 آمپر
TO-220 P-Channel
|
1 : 192,790 Rials10 : 188,341 Rials100 : 185,375 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | P-Channel | 100V | 23A | 117mΩ | 20V | -2V | 64.7nC | -55C | +175C | 140W | Single | Enhancement | Tube |
International Rectifier![]() |
IRF3205PBF ماسفت 55 ولت 110 آمپر
TO-220 N-Channel |
1 : 208,872 Rials10 : 202,904 Rials100 : 198,428 Rials500 : 195,444 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 55V | 110A | 8mΩ | 20V | 2V | 97.3nC | -55C | +175C | 150W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRLR024NTRPBF ماسفت منفی 55 ولت 17 آمپر |
1 : 93,136 Rials10 : 90,549 Rials100 : 88,608 Rials500 : 87,315 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 55V | 17A | 65mΩ | ±16V | 1.8V | 10nC | -55C | +175C | 38W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TK15A60U MOSFET Super Junction Power Mosfet |
1 : 611,283 Rials10 : 602,852 Rials100 : 590,205 Rials |
Through Hole | TO-220FP-3 | 1 | N-Channel | 600V | 15A | 300mΩ | 30V | 5V | 17nC | -55C | +200C | 40W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRFZ24N |
1 : 119,902 Rials10 : 115,106 Rials100 : 112,708 Rials500 : 110,310 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 55V | 17A | 70mΩ | ±20V | 2V | 20nC | -55C | +175C | 45W | Single | Enhancement | Tube |
Diodes Incorporated![]() |
DMN3032LE-13 ماسفت 30 ولت 5.6 آمپر
SOT-223 N-Channel |
1 : 57,330 Rials10 : 55,325 Rials100 : 54,122 Rials500 : 52,519 Rials |
SMD/SMT | SOT-223-4 | 1 | N-Channel | 30V | 5.6A | 29mΩ | ±20V | 1V | 11.3nC | -55C | +150C | 14W | Single | Enhancement | Reel |
Fortune Semicon![]() |
FS8205A Dual N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet with TSSOP-8 Package |
1 : 58,090 Rials10 : 56,015 Rials100 : 54,355 Rials |
SMD/SMT | TSSOP-8 | 2 | Dual N-Channel | 20V | 6A | 25mΩ | ±12V | 500mV | - | -55C | +150C | 1W | Dual | Enhancement | Reel |
APM![]() |
AP100N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
1 : 45,334 Rials10 : 43,715 Rials100 : 42,420 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 30V | 100A | 3.6mΩ | ±20V | 1.6V | 45nC | -55C | +175C | 68W | Single | Enhancement | Reel |
ON Semiconductor![]() |
FDS4435BZ ماسفت 30 ولت 8.8 آمپر |
1 : 163,684 Rials10 : 157,960 Rials100 : 152,237 Rials500 : 149,948 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 1 | P-Channel | 30V | 8.8A | 16mΩ | ±25V | -1V | 40nC | -55C | +200C | 2.5W | Single | Enhancement | Reel |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
BSS123LT1G MOSFET 100V 170mA N-Channel |
2 : 23,240 Rials25 : 22,410 Rials250 : 21,746 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 100V | 170mA | 6Ω | ±20V | 1.6V | - | -55C | +150C | 225mW | Single | Enhancement | Reel |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
FDN5630 MOSFET SSOT-3 N-CH 60V |
1 : 263,167 Rials10 : 254,395 Rials100 : 245,623 Rials |
SMD/SMT | SSOT-3 | 1 | N-Channel | 60V | 1.7A | 73mΩ | ±20V | 1V | 10nC | -55C | +150C | 500mW | Single | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
P1504EDG-VB 40V 50A 12mΩ@10V,50A P-Channel TO-252-3 MOSFETs |
1 : 170,601 Rials10 : 164,914 Rials100 : 159,227 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | P-Channel | -40V | -50A | 12mΩ | ±20V | -1.5V | 60nC | -55C | +175C | 136W | Single | Enhancement | Reel |
Vishay Semiconductors![]() |
IRF9640PBF ماسفت 200 ولت 11 آمپر
TO-220AB P-Channel |
1 : 213,112 Rials10 : 211,510 Rials100 : 209,907 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | P-Channel | 200V | 11A | 500mΩ | 10V | 2V | 44nC | -55C | +200C | 125W | Single | Enhancement | Tube |
ON Semiconductor![]() |
FQPF9N25C ماسفت 250 ولت 8.8 آمپر |
1 : 153,749 Rials10 : 148,258 Rials100 : 143,866 Rials |
Through Hole | TO-220F | 1 | N-Channel | 250V | 8.8A | 430mΩ | ±30V | 2V | 26.5nC | -55C | +150C | 38W | Single | Enhancement | Tube |
DOINGTER![]() |
DC022NG MOSFET 30V 30A Package TO-252 |
1 : 48,727 Rials10 : 47,103 Rials100 : 45,479 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 30V | 30A | 22mΩ | ±20V | 1.5V | 12nC | -55C | +175C | 25W | Single | Enhancement | Reel |
Diodes Incorporated![]() |
BSS84W-7-F ماسفت مثبت 50 ولت 130 میلی آمپر |
1 : 23,836 Rials10 : 23,014 Rials100 : 22,192 Rials |
SMD/SMT | SOT-323 | 1 | P-Channel | 50V | 130mA | 10mΩ | ±20V | 800mV | --- | -55C | +150C | 200mW | Single | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
IRF7821TRPBF-VB 30V 13A N-Channel SO-8 MOSFET |
1 : 111,471 Rials10 : 107,755 Rials100 : 104,039 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 1 | N-Channel | 30V | 13A | 8mΩ | ±20V | 1V | 15nC | -55C | +150C | 4.1W | Single | Enhancement | Reel |
NCE Power![]() |
NCEP40T20A TO-220 MOSFETs |
1 : 310,648 Rials10 : 304,220 Rials100 : 299,936 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 40V | 200A | 1.3mΩ | ±20V | 2V | 91nC | -55C | +175C | 270W | Single | Enhancement | Tube |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
SI3456DV 30V 5.1A 800mW 45mΩ@5.1A,10V N Channel SOT-23-6 MOSFETs |
2 : 55,341 Rials25 : 53,496 Rials200 : 51,651 Rials |
SMD/SMT | SSOT-6 | 1 | N-Channel | 30V | 5.1A | 45mΩ | ±20V | 1.5V | 12.6nC | -55C | +150C | 1.6W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRF2807PBF MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
1 : 256,755 Rials10 : 248,196 Rials100 : 239,638 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 75V | 82A | 13mΩ | ±20V | 2V | 106.7nC | -55C | +175C | 200W | Single | Enhancement | Tube |
Diodes Incorporated![]() |
ZXMC4559DN8TA MOSFET Comp. 60V NP-Chnl |
1 : 236,935 Rials10 : 229,037 Rials100 : 221,139 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 2 | N-Channel, P-Channel | 60V | 4.7A | 75mΩ | ±20V | 1V | 20.4nC | -55C | +150C | 2.1W | Dual | Enhancement | Reel |
Hangzhou Silan Microelectronics![]() |
SVF2N60F 2A, 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
1 : 95,309 Rials10 : 93,206 Rials100 : 91,805 Rials |
Through Hole | TO-220FP-3 | 1 | N-Channel | 600V | 2A | 3.7Ω | 30V | 2V | 8.24nC | -55C | +150C | 23W | Single | Enhancement | Tube |
International Rectifier![]() |
IRFR120NTRPBF ماسفت 100ولت 9.4 آمپر
TO-252 N-Channel
|
1 : 149,270 Rials10 : 144,014 Rials100 : 140,335 Rials500 : 136,656 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 100V | 9.4A | 210mΩ | 20V | 2V | 16.7nC | -55C | +175C | 39W | Single | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
2SK2231-VB MOSFET N-Channel 60V 18A Package TO-252 |
1 : 108,952 Rials10 : 105,320 Rials100 : 101,689 Rials |
SMD/SMT | TO-252 | 1 | N-Channel | 60V | 18A | 73mΩ | ±20V | 800mV | 19.8nC | -55C | +150C | 41.7W | Single | Enhancement | Reel |
Hangzhou Silan Microelectronics![]() |
SVF7N65F TO-220F-3 MOSFETs |
1 : 136,218 Rials10 : 131,677 Rials100 : 127,136 Rials |
Through Hole | TO-220F-3L | 1 | N-Channel | 650V | 7A | 1.1Ω | ±30V | 2V | 21.2nC | -55C | +150C | 46W | Single | Enhancement | Tube |
International Rectifier![]() |
IRFP260NPBF ماسفت 200 ولت 50 آمپر
TO-247 N-Channel
|
1 : 516,727 Rials10 : 509,072 Rials100 : 497,589 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 200V | 50A | 40mΩ | 20V | 2V | 156nC | -55C | +175C | 300W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRLL2705TRPBF MOSFET 55V 3.8A 40mΩ Logic Level |
1 : 138,868 Rials10 : 133,909 Rials100 : 129,941 Rials |
SMD/SMT | SOT-223-4 | 1 | N-Channel | 55V | 3.8A | 65mΩ | ±16V | 1.8V | 32nC | -55C | +150C | 2.1W | Single | Enhancement | Reel |
Vishay Semiconductors![]() |
IRFP460PBF ماسفت 500 ولت 20 آمپر
TO-247 N-Channel |
1 : 790,628 Rials10 : 776,040 Rials100 : 764,371 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 500V | 20A | 270mΩ | 10V | 2V | 210nC | -55C | +150C | 280W | Single | Enhancement | Tube |
NCE Power![]() |
NCEP40T15GU N-Channel Super Trench Power MOSFET 40V 150A |
1 : 277,779 Rials10 : 267,858 Rials100 : 259,922 Rials |
SMD/SMT | DFN-8 | 1 | N-Channel | 40V | 150A | 1.09mΩ | ±20V | 1V | 91nC | -55C | +150C | 135W | Single | Enhancement | Reel |
Vishay Semiconductors![]() |
IRFP9240PBF MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET |
1 : 842,110 Rials10 : 823,396 Rials100 : 810,920 Rials |
Through Hole | TO-247AC | 1 | P-Channel | 200V | 12A | 500mΩ | 20V | 2V | 44nC | -55C | +200C | 150W | Single | Enhancement | Tube |
Diodes Incorporated![]() |
DMP2100U-7 ماسفت 20 ولت 5.5 آمپر
SOT-23 P-Channel |
1 : 52,040 Rials10 : 51,648 Rials100 : 51,257 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 20V | 5.5A | 38mΩ | 10V | 300mV | 9.1nC | -55C | +150C | 800mW | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
BSC0901NS MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS |
1 : 298,218 Rials10 : 287,567 Rials100 : 279,047 Rials |
SMD/SMT | TDSON-8 | 1 | N-Channel | 30V | 100A | 1.6mΩ | ±20V | 1.2V | 44nC | -55C | +150C | 69W | Single | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
IRFP250NPBF ماسفت 200 ولت 30 آمپر
TO-247 N-Channel
|
1 : 398,102 Rials10 : 389,865 Rials100 : 384,374 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 200V | 30A | 75mΩ | 20V | 2V | 82nC | -55C | +175C | 214W | Single | Enhancement | Tube |
ROHM Semiconductor![]() |
RZE002P02TL MOSFET 1.2V DRVE PCH MOSFET |
1 : 55,104 Rials10 : 53,267 Rials100 : 51,430 Rials |
SMD/SMT | SOT-416-3 | 1 | P-Channel | 20V | 200mA | 1.2Ω | ±10V | 1V | 1.4nC | -55C | +150C | 150mW | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRFR9120NTRPBF |
1 : 142,690 Rials10 : 137,594 Rials100 : 135,556 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | P-Channel | 100V | 6.5A | 480mΩ | ±20V | 4V | 27nC | -55C | +150C | 39W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRFR220NTRPBF MOSFET 600V 5A N-CH With D-Pac Package |
1 : 118,714 Rials10 : 114,474 Rials100 : 111,082 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 200V | 5A | 600mΩ | ±20V | 1.8V | 15nC | -55C | +175C | 43W | Single | Enhancement | Reel |
ON Semiconductor![]() |
MTD6N20E |
1 : 827,820 Rials10 : 798,255 Rials100 : 780,516 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 200V | 6A | 470mΩ | ±20V | 2V | 13.7nC | -55C | +150C | 50W | Single | Enhancement | Tube |
STMicroelectronics![]() |
STP75NF75 MOSFET N-Ch 75 Volt 80 Amp |
1 : 275,357 Rials10 : 265,862 Rials100 : 256,367 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 75V | 80A | 11mΩ | ±20V | 2V | 117nC | -55C | +175C | 300W | Single | Enhancement | Tube |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3413 20V 3A 97mΩ@4.5V,3A 1.4W P Channel SOT-23-3L MOSFETs |
5 : 28,579 Rials25 : 27,626 Rials100 : 26,674 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | -20V | -3A | 56mΩ | ±8V | -650mV | 8.5nC | -55C | +150C | 1.4W | Single | Enhancement | Reel |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3414 20V 3A 50mΩ@4.5V,4.2A 1.4W N Channel SOT-23-3L MOSFETs |
5 : 28,579 Rials25 : 27,626 Rials100 : 26,674 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 20V | 3A | 51mΩ | ±8V | 700mV | 3.8nC | -55C | +150C | 1.4W | Single | Enhancement | Reel |
Vishay Semiconductors![]() |
IRF710PBF ماسفت 400 ولت 2 آمپر
TO-220AB N-Channel
|
1 : 215,423 Rials10 : 212,109 Rials100 : 208,795 Rials250 : 207,138 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 400V | 2A | 3.6Ω | 10V | 2V | 17nC | -55C | +150C | 36W | Single | Enhancement | Tube |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
FQD2N60CTM MOSFET QFC 600V 4.7OHM DPAK |
1 : 195,960 Rials10 : 189,428 Rials100 : 182,896 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 600V | 1.9A | 4.7Ω | ±30V | 2V | 8.5nC | -55C | +150C | 2.5W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRF7821TRPBF MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC |
1 : 308,307 Rials10 : 298,030 Rials100 : 287,753 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 1 | N-Channel | 30V | 13.6A | 9.5mΩ | ±20V | 1V | 9.3nC | -55C | +150C | 2.5W | Single | Enhancement | Reel |
STMicroelectronics![]() |
STF6N95K5 N-channel 950V, 1Ω typ 9A MOSFET in a TO-220FP Package |
1 : 459,170 Rials5 : 442,106 Rials50 : 434,350 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 950V | 9A | 1.25Ω | ±30V | 5V | 13nC | -55C | +150C | 25W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRFS3607TRLPBF MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qga |
1 : 348,502 Rials10 : 342,278 Rials100 : 336,055 Rials |
SMD/SMT | TO-263-3 | 1 | N-Channel | 75V | 80A | 7.34mΩ | ±20V | 1.8V | 56nC | -55C | +175C | 140W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TK110P10PL,RQ MOSFET DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
1 : 402,135 Rials10 : 389,163 Rials100 : 376,190 Rials |
SMD/SMT | DPAK-3 | 1 | N-Channel | 100V | 40A | 16mΩ | ±20V | 2.5V | 33nC | -55C | +175C | 75W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TK13P25D,RQ MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ |
1 : 197,786 Rials10 : 191,406 Rials100 : 185,025 Rials |
SMD/SMT | DPAK-3 | 1 | N-Channel | 250V | 13A | 250mΩ | ±20V | 1.5V | 25nC | -55C | +150C | 96W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TK8P65W,RQ MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ |
1 : 272,465 Rials10 : 263,676 Rials100 : 254,886 Rials |
SMD/SMT | DPAK-3 | 1 | N-Channel | 650V | 7.8A | 670mΩ | ±30V | 2.5V | 16nC | -55C | +150C | 80W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPH1400ANH,L1Q MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC |
1 : 680,529 Rials10 : 658,576 Rials100 : 636,623 Rials |
SMD/SMT | SOP-8 | 1 | N-Channel | 100V | 42A | 11.3mΩ | ±20V | 4V | 22nC | -55C | +150C | 48W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPH1R403NL,L1Q MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V |
1 : 170,337 Rials10 : 164,659 Rials100 : 158,981 Rials |
SMD/SMT | SOP-8 | 1 | N-Channel | 30V | 150A | 1.4mΩ | ±20V | 2.3V | 46nC | -55C | +150C | 64W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPH2R003PL,LQ MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR |
1 : 454,636 Rials10 : 439,971 Rials100 : 425,305 Rials |
SMD/SMT | SOP-8 | 1 | N-Channel | 30V | 180A | 2mΩ | ±20V | 1.1V | 86nC | -55C | +175C | 116W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPH2R104PL,LQ MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR |
1 : 522,119 Rials10 : 505,276 Rials100 : 488,433 Rials |
SMD/SMT | SOP-8 | 1 | N-Channel | 40V | 180A | 2.1mΩ | ±20V | 1.4V | 78nC | -55C | +175C | 116W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPN5R203PL,LQ MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ |
1 : 227,385 Rials10 : 220,050 Rials100 : 212,715 Rials |
SMD/SMT | TSON-8 | 1 | N-Channel | 30V | 76A | 5.2mΩ | ±20V | 1.1V | 22nC | -55C | +175C | 61W | Single | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
FDC6303N-VB 20V 6A Dual N-Channel TSOP-6 MOSFET |
1 : 97,017 Rials10 : 93,783 Rials100 : 90,549 Rials |
SMD/SMT | TSOP-6 | 2 | Dual N-Channel | 20V | 6A | 22mΩ | ±12V | 400mV | 3.7nC | -55C | +150C | 1.6W | Dual | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
FQD2N60C-VB 650V 2A N-Channel TO-252 MOSFET |
1 : 142,131 Rials10 : 137,393 Rials100 : 132,655 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 650V | 2A | 3.8Ω | ±30V | 2V | 15nC | -55C | +150C | 60W | Single | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
IRF7105TRPBF-VB 25V,-25V 3.5A,-2.8A Dual N/P-Channel SO-8 MOSFET |
1 : 107,627 Rials10 : 103,916 Rials100 : 100,205 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 2 | N-Channel, P-Channel | 30V, -30V | 8A, -8A | 18mΩ, 32mΩ | ±20V | 1V, -1V | 6nC, 41.5nC | -55C | +150C | 2W | Dual | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
IRF4905PBF ماسفت 55 ولت 74 آمپر
TO-220 P-Channel |
1 : 397,155 Rials10 : 391,271 Rials100 : 385,387 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | P-Channel | 55V | 74A | 20mΩ | 20V | -2V | 120nC | -55C | +175C | 200W | Single | Enhancement | Tube |
Vishay Semiconductors![]() |
IRFD120PBF MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI |
1 : 140,575 Rials10 : 135,889 Rials100 : 131,203 Rials |
Through Hole | HVMDIP-4 | 1 | N-Channel | 100V | 1.3A | 270mΩ | ±20V | 2V | 16nC | -55C | +175C | 1.3W | Single | Enhancement | Tube |
VBsemi![]() |
FDD8580-VB 20V 65A 6mΩ@4.5V,65A N Channel TO-252 MOSFETs |
1 : 110,917 Rials10 : 107,878 Rials100 : 104,839 Rials |
SMD/SMT | TO-252 | 1 | N-Channel | 20V | 100A | 4.5mΩ | ±15V | 500mV | 26nC | -55C | +175C | 71W | Single | Enhancement | Reel |
Vishay Semiconductors![]() |
IRFR420TRPBF MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK |
1 : 246,709 Rials10 : 237,898 Rials100 : 230,849 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 500V | 3.3A | 3Ω | ±30V | 4V | 17nC | -55C | +150C | 42W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
BSS308PEH6327XTSA1 MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3 |
1 : 66,181 Rials10 : 63,975 Rials100 : 61,769 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 30V | 2A | 62mΩ | ±20V | 2V | 5nC | -55C | +150C | 500mW | Single | Enhancement | Reel |
STMicroelectronics![]() |
STF18N60M2 MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 |
1 : 406,683 Rials10 : 393,126 Rials100 : 379,570 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 600V | 13A | 255mΩ | ±25V | 3V | 21.5nC | -55C | +150C | 25W | Single | Enhancement | Tube |
VBsemi![]() |
BSP250-VB 35V 6.2A 50mΩ@10V,6.2A P Channel SOT-223 MOSFETs |
1 : 111,864 Rials10 : 108,135 Rials100 : 104,406 Rials |
SMD/SMT | SOT-223 | 1 | P-Channel | -35V | -6.2A | 40mΩ | ±20V | -600mV | 23nC | -55C | +150C | 4.2W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRFR5305TRPBF MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
1 : 182,809 Rials10 : 176,715 Rials100 : 170,622 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | P-Channel | 55V | 31A | 65mΩ | ±20V | 4V | 42nC | -55C | +175C | 110W | Single | Enhancement | Reel |
Texas Instruments![]() |
CSD16570Q5B MOSFET 25-V N-channel NexFET Pwr MOSFET |
1 : 514,141 Rials10 : 500,055 Rials100 : 485,969 Rials |
SMD/SMT | VSON-CLIP-8 | 1 | N-Channel | 25V | 100A | 590uΩ | ±20V | 1.1V | 192nC | -55C | +150C | 195W | Single | Enhancement | Reel |
Texas Instruments![]() |
CSD17570Q5B MOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET |
1 : 617,105 Rials10 : 604,337 Rials100 : 591,570 Rials |
SMD/SMT | VSON-CLIP-8 | 1 | N-Channel | 30V | 100A | 740uΩ | ±20V | 1.5V | 93nC | -55C | +150C | 3.2W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPHR6503PL DFN-8-EP(6.1x5.2) MOSFETs |
1 : 495,428 Rials10 : 481,947 Rials100 : 471,836 Rials |
SMD/SMT | - | - | N-Channel | 30V | 150A | 600mΩ | ±20V | 1.1V | 52nC | -55C | +175C | 170W | - | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPHR8504PL |
1 : 431,042 Rials10 : 419,313 Rials100 : 410,516 Rials |
SMD/SMT | - | - | N-Channel | 40V | 150A | 1mΩ | ±20V | 1.4V | 49nC | -55C | +175C | 170W | - | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPHR9003NC |
1 : 431,042 Rials10 : 419,313 Rials100 : 410,516 Rials |
SMD/SMT | - | - | N-Channel | 30V | 10uA | 1.1mΩ | ±20V | 1.3V | 32nC | -55C | +150C | 78W | - | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
IRFB59N10DPBF-VB MOSFET 100V 70A 17mΩ 90nC |
1 : 325,334 Rials10 : 317,535 Rials100 : 311,964 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 100V | 70A | 17mΩ | ±20V | 2V | 90nC | -55C | +175C | 355W | Single | Enhancement | Tube |
TOSHIBA![]() |
TK16A60W TO-220 MOSFETs |
1 : 510,795 Rials10 : 496,896 Rials100 : 486,472 Rials |
Through Hole | TO-220SIS | 1 | N-Channel | 600V | 15.8A | 160mΩ | ±30V | 2.7V | 38nC | -55C | +150C | 40W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRF7807D1TRPBF MOSFET w/Schttky 30V 8.3A 25mΩ 14nC |
1 : 111,339 Rials10 : 107,627 Rials100 : 103,916 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 1 | N-Channel | 30V | 8.3A | 25mΩ | ±12V | 1V | 10.5nC | -55C | +150C | 2.5W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRF7416TRPBF MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC |
1 : 178,049 Rials10 : 170,831 Rials100 : 166,019 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 1 | P-Channel | 30V | 10A | 35mΩ | ±20V | 1V | 61nC | -55C | +150C | 2.5W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRF7105TRPBF MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A |
1 : 185,667 Rials10 : 179,478 Rials100 : 173,289 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 2 | N-Channel, P-Channel | 25V, -25V | 3.5A, -2.3A | 83mΩ, 160mΩ | ±20V | 1V, -1V | 9.4nC, 10nC | -55C | +150C | 2W | Dual | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRFR4620PBF MOSFET NCH 200V 24A |
1 : 353,356 Rials10 : 341,577 Rials100 : 334,510 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 200V | 24A | 64mΩ | ±20V | 3V | 25nC | -55C | +170C | 144W | Single | Enhancement | Tube |
Kodenshi AUK![]() |
SMK1060F ماسفت 600 ولت 10 آمپر |
1 : 158,520 Rials10 : 154,117 Rials100 : 150,815 Rials |
Through Hole | TO-220FP-3 | 1 | N-Channel | 600V | 10A | 600mΩ | ±30V | 2V | 35nC | -55C | +150C | 40W | Single | Enhancement | Tube |
VBsemi![]() |
IRF7342QTRPBF-VB 60V -5.3V Dual P-Channel SO-8 MOSFET |
1 : 186,887 Rials10 : 180,443 Rials100 : 173,998 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 2 | Dual P-channel | 60V | -5.3A | 54mΩ | ±20V | -1V | 32nC | -55C | +150C | 4W | Dual | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRFB7434PBF MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC |
1 : 457,166 Rials10 : 441,401 Rials100 : 435,096 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 40V | 317A | 1.25mΩ | ±20V | 2.2V | 216nC | -55C | +175C | 294W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRFR3910TRPBF MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC |
1 : 221,628 Rials10 : 214,240 Rials100 : 206,852 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 100V | 15A | 115mΩ | ±20V | 1.8V | 29.3nC | -55C | +175C | 52W | Single | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
FQPF4N60-VB 650V 4.5A N-Channel TO-220 MOSFET |
1 : 181,113 Rials10 : 169,038 Rials100 : 163,001 Rials |
Through Hole | TO-220 | 1 | N-Channel | 650V | 4A | 2.5Ω | ±30V | 2V | 48nC | -55C | +150C | 30W | Single | Enhancement | Tube |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3442 100V 1A 630mΩ@10V,1A 1.4W N Channel SOT-23-3L MOSFETs |
5 : 48,837 Rials25 : 47,209 Rials100 : 45,581 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 100V | 1A | 514mΩ | ±20V | 2.3V | 2.8nC | -55C | +150C | 1.4W | Single | Enhancement | Reel |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AON6144 40V 100A 78W 2.4mΩ@10V,20A N Channel DFN-8(5.6x5.2) MOSFETs |
1 : 230,824 Rials10 : 223,130 Rials100 : 215,436 Rials |
SMD/SMT | DFN-8(5x6) | 1 | N-Channel | 40V | 100A | 2mΩ | ±20V | 1.4V | 50nC | -50C | +150C | 78W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPHR9003NL1,LQ MOSFET UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max) |
1 : 305,505 Rials10 : 295,650 Rials100 : 285,795 Rials |
SMD/SMT | SOP-8 | 1 | N-Channel | 30V | 320A | 770uΩ | ±20V | 2.3V | 74nC | -55C | +150C | 170W | Single | Enhancement | Reel |
ON Semiconductor![]() |
FQP4N90C |
1 : 628,335 Rials10 : 606,669 Rials50 : 585,002 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 900V | 4A | 4.2Ω | 30V | 5V | 22nC | -55C | +150C | 140W | Single | Enhancement | Tube |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3416 20V 6.5A 22mΩ@4.5V,6.5A 1.4W N Channel SOT-23-3L MOSFETs |
5 : 49,932 Rials10 : 48,267 Rials100 : 46,603 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 20V | 6.5A | 16mΩ | ±8V | 700mV | 10nC | -55C | +150C | 1.4W | Single | Enhancement | Reel |
Hangzhou Silan Microelectronics![]() |
SVF20N50F TO-220F-3 MOSFETs |
1 : 322,696 Rials10 : 311,939 Rials100 : 301,183 Rials |
Through Hole | TO-220F-3L | 1 | N-Channel | 500V | 20A | 200mΩ | ±30V | 2V | 49.5nC | -55C | +150C | 72W | Single | Enhancement | Tube |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3402 30V 4A 55mΩ@10V,4A 1.4W N Channel SOT-23 MOSFETs |
5 : 28,579 Rials25 : 27,626 Rials100 : 26,674 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 30V | 4A | 43mΩ | ±12V | 1V | 10nC | -55C | +150C | 1.4W | Single | Enhancement | Reel |
Vishay Semiconductors![]() |
IRF740PBF ماسفت 400 ولت 10 آمپر
TO-220AB N-Channel |
1 : 200,203 Rials10 : 197,237 Rials100 : 194,271 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 400V | 10A | 550mΩ | 10V | 2V | 63nC | -55C | +150C | 125W | Single | Enhancement | Tube |
Diodes Incorporated![]() |
ZXMP10A13FTA MOSFET P-Ch 100 Volt 0.7A |
1 : 120,712 Rials10 : 116,688 Rials100 : 112,665 Rials |
SMD/SMT | TSOT-23-5 | 1 | P-Channel | 100V | 700mA | 1Ω | ±20V | 2V | 3.5nC | -55C | +150C | 806mW | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
SSM3J332R,LF TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) ماسفت کانال P با ولتاژ 30 ولت و جریان درین سورس 6 آمپر و Rds پایین |
1 : 22,791 Rials10 : 21,977 Rials100 : 21,325 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 30V | 6A | 144mΩ | ±12V | 1.2V | 8.2nC | -50C | +150C | 1W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRLB3034PBF MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC |
1 : 563,016 Rials10 : 551,367 Rials100 : 543,601 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 40V | 343A | 1.4mΩ | ±20V | 1V | 108nC | -55C | +175C | 375W | Single | Enhancement | Tube |
VBsemi![]() |
IRF7416TRPBF-VB -30V -9A P-CH SO-8 MOSFET |
1 : 108,054 Rials10 : 104,452 Rials100 : 100,850 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 1 | P-Channel | -30V | -9A | 18mΩ | ±20V | -1V | 25nC | -55C | +150C | 4.2W | Single | Enhancement | Reel |
STMicroelectronics![]() |
STS4DPF20L ماسفت 20ولت 4آمپر |
1 : 310,432 Rials10 : 303,780 Rials100 : 299,345 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 2 | Dual P-channel | 20V | 4A | 80mΩ | 16V | 1.6V | 12.5nC | -55C | +150C | 2W | Dual | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
FQP50N06-VB 60V 60A N-Channel TO-220 MOSFET |
1 : 245,814 Rials10 : 237,337 Rials100 : 228,861 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 60A | 680mA | 11mΩ | ±20V | 1V | 47nC | -55C | +175C | 136W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRF9530NSTRLPBF -100V -14A P-Channel D2-Pak MOSFET |
1 : 303,154 Rials10 : 292,700 Rials100 : 282,247 Rials |
SMD/SMT | D2PAK | 1 | P-Channel | -100V | 14A | 200mΩ | -14A | -2V | 58nC | -55C | +175C | 79W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRLB4132PBF 30V 150A N-Channel TO-220 MOSFET |
1 : 388,363 Rials10 : 374,971 Rials100 : 361,579 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 30V | 150A | 2.5mΩ | ±20V | 1.35V | 54nC | -55C | +175C | 140W | Single | Enhancement | Tube |
TOSHIBA![]() |
TK8A50D MOSFET 500V 8A 0.7Ω |
1 : 240,808 Rials10 : 232,505 Rials100 : 224,201 Rials |
Through Hole | TO-220FP-3 | 1 | N-Channel | 500V | 8A | 700mΩ | ±30V | 2V | 16nC | -55C | +150C | 40W | Single | Enhancement | Tube |
Texas Instruments![]() |
CSD87350Q5D بلوک سوئیچ مبدل باک سنکرون، این بلوک برای گیت درایورهای 5 ولتی بهینه شده است و میتواند توسط هر نوع کنترلر خارجی درایور شود. |
1 : 513,452 Rials10 : 495,115 Rials100 : 480,445 Rials |
SMD/SMT | LSON-CLIP-8 | 2 | N-Channel | 30V | 40A | - | ±5V | 1V, 750mV | 8.4nC, 20nC | -55C | +150C | 12W | Dual | Enhancement | Reel |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
2N3819 RF JFET Transistors 25V 10mA |
1 : 115,857 Rials10 : 112,547 Rials100 : 111,443 Rials |
Through Hole | TO-92-3 | 1 | N-Channel | 25V | 10mA | - | 25V | - | - | -55C | +200C | 350mW | Single | Enhancement | Bulk |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3415 20V 4A 1.5W 43mΩ@4.5V,4A P Channel SOT-23-3L MOSFETs |
5 : 33,507 Rials10 : 32,390 Rials100 : 31,273 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | -20V | -4A | 34mΩ | ±8V | -570mV | 9.3nC | -55C | +150C | 1.5W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRFR3710ZTRPBF MOSFET 100V 56A 18mOhm 69nC Qg |
1 : 400,155 Rials10 : 386,356 Rials100 : 380,837 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 100V | 56A | 18mΩ | ±20V | 4V | 100nC | -55C | +175C | 140W | Single | Enhancement | Reel |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AO3407A 30V 4.3A 48mΩ@10V,4.3A 1.4W P Channel SOT-23-3L MOSFETs |
5 : 30,222 Rials25 : 29,214 Rials100 : 28,207 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | -30V | -4.3A | 39mΩ | ±20V | -2V | 12.7nC | -55C | +150C | 1.4W | Single | Enhancement | Reel |
VBsemi![]() |
AP2311GN-HF-VB P-Channel 60V 5.2A MOSFET |
1 : 60,750 Rials10 : 58,725 Rials100 : 56,700 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | -60V | -5.2A | 40mΩ | ±20V | -1V | 12nC | -55C | +175C | 27W | Single | Enhancement | Reel |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
BF256B ترانزیستور جیفت کانال N |
1 : 58,342 Rials10 : 56,721 Rials100 : 55,100 Rials |
Through Hole | TO-92 (SOT-54) | 1 | N-Channel | 30V | 10mA | - | 30V | - | - | -55C | +200C | 350mW | Single | Enhancement | Bulk |
International Rectifier![]() |
IRFU120NPBF ماسفت 100 ولت 9.1 آمپر
TO-251 N-Channel
|
1 : 188,048 Rials10 : 181,332 Rials100 : 174,616 Rials |
Through Hole | TO-251-3 | 1 | N-Channel | 100V | 9.1A | 210mΩ | 20V | 2V | 16.7nC | -55C | +175C | 39W | Single | Enhancement | Tube |
ON Semiconductor![]() |
BS170 ماسفت منفی 60 ولت 500 میلی آمپر |
1 : 105,573 Rials10 : 101,802 Rials50 : 98,786 Rials |
Through Hole | TO-92-3 | 1 | N-Channel | 60V | 500mA | 1.2Ω | ±20V | 3V | --- | -55C | +150C | 830mW | Single | Enhancement | Bulk |
TOSHIBA![]() |
TK12A50W,S5X MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ |
1 : 933,826 Rials10 : 903,703 Rials100 : 873,580 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 500V | 11.5A | 300mΩ | ±30V | 2.7V | 25nC | -55C | +150C | 35W | Single | Enhancement | Tube |
TOSHIBA![]() |
TK14V65W,LQ MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ |
1 : 909,952 Rials10 : 880,599 Rials100 : 851,245 Rials |
SMD/SMT | DFN8x8-5 | 1 | N-Channel | 650V | 13.7A | 280mΩ | ±30V | 2.5V | 35nC | -55C | +150C | 139W | Single | Enhancement | Reel |
Vishay Semiconductors![]() |
SQ4917EY-T1_GE3 MOSFET Dual P-Channel 60V |
1 : 717,852 Rials10 : 702,470 Rials50 : 692,215 Rials |
SMD/SMT | SOIC-8 | 2 | P-Channel | 60V | 8A | 40Ω, 40Ω | ±20V | 2.5V | 65nC | -55C | +175C | 5W | Dual | Enhancement | Reel |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
FQA46N15 MOSFET 150V N-Channel QFET |
1 : 1,031,707 Rials10 : 997,317 Rials100 : 962,927 Rials |
Through Hole | TO-3PN-3 | 1 | N-Channel | 150V | 50A | 42mΩ | ±25V | 2V | 110nC | -55C | +175C | 250W | Single | Enhancement | Tube |
NCE Power![]() |
NCE6075 60V 75A 110W 11.5mΩ@10V,30A N Channel TO-220 MOSFETs |
1 : 185,901 Rials10 : 179,262 Rials100 : 175,278 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 60V | 75A | 9.1mΩ | ±20V | 2V | 50nC | -55C | +175C | 110W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRF6665TRPBF ماسفت 100 ولت 4.2 آمپر
DirectFET-SH N-Channel
|
1 : 331,712 Rials10 : 310,980 Rials100 : 300,614 Rials |
SMD/SMT | DirectFET-SH | 1 | N-Channel | 100V | 4.2A | 53mΩ | 20V | 4V | 8.7nC | -40C | +200C | 42W | Single | Enhancement | Reel |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AON6414AL DFN-8(5x6) MOSFETs |
1 : 150,666 Rials10 : 147,342 Rials50 : 145,127 Rials |
SMD/SMT | DFN-8(5x6) | 1 | N-Channel | 30V | 50A | 6.6mΩ | ±20V | 1.5V | 20nC | -55C | +150C | 31W | Single | Enhancement | Reel |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
NTMFS5C430NT1G MOSFET T6D3F 40V NFET |
1 : 743,278 Rials10 : 717,648 Rials100 : 692,018 Rials |
SMD/SMT | SO-8FL-4 | 1 | N-Channel | 40V | 185A | 1.4mΩ | ±20V | 2.5V | 47nC | -55C | +175C | 106W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
IRLZ44NPBF MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB |
1 : 274,735 Rials10 : 265,577 Rials50 : 256,419 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 55V | 47A | 35mΩ | ±16V | 1.8V | 48nC | -55C | +175C | 83W | Single | Enhancement | Tube |
NCE Power![]() |
NCE65T180F 650V 21A 33.8W 180mΩ@10V,10.5A N Channel TO-220F-3 MOSFETs |
1 : 456,001 Rials10 : 440,277 Rials100 : 424,553 Rials |
Through Hole | TO-220F | 1 | N-Channel | 650V | 21A | 150mΩ | ±30V | 3V | 36nC | -55C | +150C | 33.8W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRFP150NPBF MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC |
1 : 371,956 Rials10 : 361,696 Rials100 : 351,435 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 100V | 39A | 36mΩ | ±20V | 1.8V | 110nC | -55C | +175C | 140W | Single | Enhancement | Tube |
International Rectifier![]() |
IRFBC40PBF ماسفت 600 ولت 6.2 آمپر
TO-220AB N-Channel
|
1 : 531,924 Rials10 : 524,044 Rials100 : 516,164 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 600V | 6.2A | --- | 10V | 2V | 60nC | -55C | +150C | 125W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
BSZ034N04LS MOSFET TRENCH <= 40V |
1 : 488,433 Rials10 : 471,591 Rials100 : 461,485 Rials |
SMD/SMT | TSDSON-8 | 1 | N-Channel | 40V | 40A | 3.4mΩ | ±20V | 2V | 25nC | -55C | +150C | 52W | Single | Enhancement | Reel |
NCE Power![]() |
NCE65TF099T TO-247 MOSFETs |
1 : 881,475 Rials10 : 852,092 Rials50 : 822,710 Rials |
Through Hole | TO-247 | 1 | N-Channel | 650V | 38A | 89mΩ | ±30V | 3V | 45nC | -55C | +150C | 322W | Single | Enhancement | Tube |
NCE Power![]() |
NCEP85T14 85V 140A 4.1mΩ@10V,70A 200W N Channel TO-220 MOSFETs |
1 : 307,811 Rials10 : 299,320 Rials100 : 292,951 Rials |
Through Hole | TO-220FP-3L | 1 | N-Channel | 85V | 140A | 3.6mΩ | ±20V | 2V | 84nC | -55C | +175C | 200W | Single | Enhancement | Tube |
TOSHIBA![]() |
TPWR6003PL,L1Q MOSFET DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
1 : 794,492 Rials10 : 768,864 Rials100 : 743,235 Rials |
SMD/SMT | DSOP-8 | 1 | N-Channel | 30V | 150A | 840uΩ | ±20V | 2.1V | 110nC | -55C | +175C | 170W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TK25A20D,S5X MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ |
1 : 594,376 Rials10 : 575,203 Rials100 : 556,030 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 200V | 25A | 70mΩ | ±20V | 1.5V | 60nC | -55C | +150C | 45W | Single | Enhancement | Tube |
Hangzhou Silan Microelectronics![]() |
SVF10N60F ماسفت 10 آمپر 600 ولت |
1 : 210,532 Rials10 : 203,013 Rials50 : 196,998 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 600V | 10A | 750mΩ | ±30V | 2V | 19.38nC | -55C | +150C | 50W | Single | Enhancement | Tube |
VBsemi![]() |
TPCA8016-H N-Channel 60V 80A (D-S) MOSFET |
1 : 319,850 Rials10 : 309,188 Rials100 : 298,526 Rials |
SMD/SMT | QFN8(5mm X 6mm) | 1 | N-Channel | 60V | 80A | 6mΩ | ±20V | 2.5V | 47nC | -55C | +175C | 136W | Single | Enhancement | Reel |
Nexperia![]() |
BSH205G2 20V, P-channel Trench MOSFET |
1 : 48,902 Rials10 : 47,155 Rials100 : 45,409 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 20V | - | 170mΩ | ±8V | 450mV | 3.7nC | -55C | +200C | 6.25W | Single | Enhancement | Reel |
Vishay Semiconductors![]() |
IRF630PBF ماسفت 200 ولت 9 آمپر
TO-220 N-Channel
|
1 : 139,401 Rials10 : 134,422 Rials100 : 129,444 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 200V | 9A | 400mΩ | ±20V | 4V | 43nC | -55C | +200C | 74W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
IRF3205ZSTRLPBF MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg |
1 : 385,557 Rials10 : 372,262 Rials100 : 361,626 Rials |
SMD/SMT | TO-263-3 | 1 | N-Channel | 55V | 110A | 6.5mΩ | ±20V | 4V | 76nC | -55C | +175C | 170W | Single | Enhancement | Reel |
TOSHIBA![]() |
TPH1R204PL1,LQ MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max) |
1 : 762,207 Rials10 : 736,800 Rials100 : 711,393 Rials |
SMD/SMT | SOP-8 | 1 | N-Channel | 40V | 270A | 1mΩ | ±20V | 2.4V | 74nC | -55C | +175C | 170W | Single | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
IRFP4310ZPBF MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
1 : 1,038,477 Rials10 : 1,008,376 Rials50 : 985,801 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 100V | 134A | 4.8mΩ | ±20V | 1.8V | 120nC | -55C | +175C | 280W | Single | Enhancement | Tube |
IXYS![]() |
IXTQ130N10T ماسفت 100 ولت 130 آمپر
TO-3PN N-Channel |
1 : 1,139,772 Rials10 : 1,106,735 Rials50 : 1,081,957 Rials |
Through Hole | TO-3PN-3 | 1 | N-Channel | 100V | 130A | 9.1mΩ | ±20V | 2.5V | 104nC | -55C | +175C | 360W | Single | Enhancement | Tube |
Infineon Technologies![]() |
SPW21N50C3 MOSFET N-Ch 500V 21A TO247-3 CoolMOS C3 |
1 : 950,752 Rials10 : 918,632 Rials50 : 899,360 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 500V | 21A | 190mΩ | ±20V | 2.1V | 95nC | -55C | +150C | 208W | Single | Enhancement | Tube |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
FQU2N60CTU 600V Nmosfet 0.9A 4.7Ω 8.5nC |
1 : 220,845 Rials10 : 213,229 Rials50 : 205,614 Rials |
Through Hole | TO-251-3 | 1 | N-Channel | 600V | 1.9A | 4.7Ω | ±30V | 2V | 12nC | -55C | +150C | 2.5W | Single | Enhancement | Tube |
ON Semiconductor![]() |
MTD3055VLT4 ماسفت 60 ولت 12 آمپر
TO-252 N-Channel
|
1 : 416,465 Rials10 : 401,591 Rials100 : 389,692 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 60V | 12A | 120mΩ | 15V | 2V | 8.1nC | -55C | +175C | 2.1W | Single | Enhancement | Reel |
Texas Instruments![]() |
CSD17310Q5A MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
1 : 520,993 Rials10 : 510,214 Rials25 : 503,028 Rials |
SMD/SMT | VSONP-8 | 1 | N-Channel | 30V | 100A | 5.1mΩ | ±8V | 900mV | 8.9nC | -55C | +150C | 3.1W | Single | Enhancement | Reel |
FAIRCHILD/ONSEMI![]() |
NTF3055-100T1G MOSFET 60V 3A N-Channel |
1 : 319,886 Rials10 : 308,461 Rials50 : 301,606 Rials |
SMD/SMT | SOT-223-3 | 1 | N-Channel | 60V | 3A | 110mΩ | ±20V | 2V | 10.6nC | -55C | +175C | 2.1W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
BSC190N15NS3GATMA1 MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 With OptiMOS 3 Technology |
1 : 693,955 Rials10 : 670,823 Rials100 : 647,691 Rials |
SMD/SMT | TDSON-8 | 1 | N-Channel | 150V | 50A | 19mΩ | ±20V | 2V | 23nC | -55C | +150C | 125W | Single | Enhancement | Reel |
STMicroelectronics![]() |
STW9NK90Z ماسفت 900 ولت 8 آمپر
TO-247 N-Channel
|
1 : 862,115 Rials10 : 849,343 Rials50 : 836,571 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 900V | 8A | 1.3Ω | 30V | 3V | 72nC | -55C | +200C | 160W | Single | Enhancement | Tube |
TOSHIBA![]() |
TK31N60W,S1VF MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF |
1 : 1,736,451 Rials5 : 1,678,569 Rials25 : 1,620,687 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 600V | 30.8A | 73mΩ | ±30V | 3.7V | 86nC | -55C | +150C | 230W | Single | Enhancement | Tube |
TOSHIBA![]() |
TK62N60W MOSFET 600V 61.8A 33mΩ |
1 : 2,260,744 Rials5 : 2,182,787 Rials25 : 2,104,830 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 600V | 61.8A | 33mΩ | ±30V | 2.7V | 180nC | -55C | +150C | 400W | Single | Enhancement | Tube |
VBsemi![]() |
STD30NF06LT4-VB 60V 45A N-Channel TO-252 MOSFET |
1 : 143,320 Rials10 : 138,378 Rials100 : 133,436 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 60V | 45A | 25mΩ | ±20V | 2V | 11nC | -55C | +175C | 100W | Single | Enhancement | Reel |
Infineon Technologies![]() |
SPW47N60C3 ماسفت 600 ولت 47 آمپر
TO-247 N-Channel
|
1 : 2,550,401 Rials10 : 2,459,315 Rials100 : 2,368,230 Rials |
Through Hole | TO-247-3 | 1 | N-Channel | 600V | 47A | 70mΩ | 10V | 2.1V | 252nC | -55C | +150C | 415W | Single | Enhancement | Tube |
APM![]() |
AP8V04S ماسفت جفت 40 ولت 8.2 آمپر کانال P |
1 : 416,158 Rials10 : 401,295 Rials100 : 392,377 Rials |
SMD/SMT | SOP-8 | 2 | Dual P-channel | 40V | 8.2A | 35mΩ | ±20V | 1V | 9nC | -55C | +150C | 3.1W | Dual | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
AUIRF1324S-7P ماسفت 24 ولت 429 آمپر
|
1 : 1,792,588 Rials10 : 1,728,567 Rials100 : 1,664,546 Rials |
SMD/SMT | TO-252 | 1 | N-Channel | 24V | 429A | 1mΩ | 20V | --- | 180nC | -55C | --- | 300W | Single | Enhancement | Tube |
Vishay Semiconductors![]() |
IRF840PBF ماسفت 500 ولت 8 آمپر
TO-220AB N-Channel
|
1 : 369,044 Rials10 : 355,864 Rials100 : 347,956 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 500V | 8A | 850mΩ | 10V | 2V | 63nC | -55C | +150C | 125W | Single | Enhancement | Tube |
IXYS![]() |
CPC5602 |
1 : 183,960 Rials10 : 177,390 Rials100 : 170,820 Rials |
--- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
Renesas Electronics![]() |
2SK2225-E ماسفت 1500 ولت 2 آمپر پکیج TO-3PFM |
1 : 974,199 Rials10 : 966,819 Rials100 : 959,439 Rials |
Through Hole | TO-3PFM | 1 | NPN | 1.5kV | 2A | 9Ω | ±20V | - | - | -55C | +150C | 50W | Single | Enhancement | Tube |
International Rectifier![]() |
IRLR8726TR ماسفت 30 ولت 86 آمپر
TO-252 N-Channel |
1 : 65,097 Rials10 : 62,853 Rials100 : 60,608 Rials1000 : 58,812 Rials |
SMD/SMT | TO-252-3 | 1 | N-Channel | 30V | 86A | 8mΩ | ±20V | 2.35V | 15nC | -55C | +175C | 75W | Single | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
IRFH7934TRPBF ماسفت 30 ولت 76 آمپر
PQFN N-Channel |
1 : 222,668 Rials10 : 216,609 Rials50 : 212,065 Rials |
SMD/SMT | PQFN-8 | 1 | N-Channel | 30V | 76A | 3.5mΩ | ±20V | 1.8V | 20nC | -55C | +150C | 3.1W | Single | Enhancement | Reel |
ON Semiconductor![]() |
2N7002LT1G ماسفت 60 ولت 115 میلی آمپر
SOT-23 N-Channel
|
1 : 41,698 Rials50 : 40,208 Rials250 : 39,017 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 60V | 115mA | 7.5Ω | ±20V | 1V | --- | -55C | +150C | 300mW | Single | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
IRF2807ZSPBF ماسفت 75 ولت 89 آمپر
D2PAK N-Channel |
1 : 535,672 Rials10 : 517,816 Rials100 : 499,961 Rials |
SMD/SMT | D2PAK | 1 | N-Channel | 75V | 89A | 9.4mΩ | 20V | 4V | 110nC | -55C | +175C | 170W | Single | Enhancement | Reel |
International Rectifier![]() |
IRF540NPBF ماسفت 100 ولت 33 آمپر
TO-220 N-Channel
|
1 : 225,862 Rials10 : 217,796 Rials100 : 209,729 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 100V | 33A | 44mΩ | 20V | 2V | 47.3nC | -55C | +175C | 140W | Single | Enhancement | Tube |
Vishay Semiconductors![]() |
IRFL110TRPBF ماسفت 100 ولت 1.5 آمپر
SOT-223 N-Channel |
1 : 168,221 Rials10 : 162,213 Rials100 : 158,609 Rials |
SMD/SMT | SOT-223-3 | 1 | N-Channel | 100V | 1.5A | 540mΩ | 10V | 2V | 8.3nC | -55C | +150C | 3.1W | Single | Enhancement | Reel |
ON Semiconductor![]() |
FDN360P ماسفت 30 ولت 2 آمپر
SOT-23 P-Channel |
1 : 48,034 Rials10 : 46,318 Rials100 : 44,946 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | P-Channel | 30V | 2A | 63mΩ | 20V | -1V | 6.2nC | -55C | +200C | 500mW | Single | Enhancement | Reel |
IXYS![]() |
CPC5602C ماسفت نوع تخلیه یا کاهشی 350 ولت 5 میلی آمپر
SOT-223 N-Channel |
1 : 233,016 Rials10 : 224,694 Rials100 : 216,372 Rials |
SMD/SMT | SOT-223-3 | 1 | N-Channel | 350V | 5mA | 14Ω | 20V | --- | --- | -40C | +85C | 2.5W | Single | Depletion | Reel |
International Rectifier![]() |
IRF640NPBF ماسفت 200 ولت 18 آمپر
TO-220 N-Channel |
1 : 186,705 Rials10 : 182,675 Rials100 : 179,989 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 200V | 18A | 150mΩ | 20V | 2V | 44.7nC | -55C | +175C | 150W | Single | Enhancement | Tube |
ON Semiconductor![]() |
FDP24N40 ماسفت 400 ولت 24 آمپر
TO-220 N-Channel
|
1 : 412,136 Rials50 : 396,872 Rials100 : 381,608 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 400V | 24A | 175mΩ | 30V | 3V | 46nC | -55C | +200C | 227W | Single | Enhancement | Tube |
Diodes Incorporated![]() |
DMG3420U-7 ماسفت 20 ولت 5.47 آمپر
SOT-23 N-Channel
|
1 : 62,441 Rials10 : 58,893 Rials100 : 55,573 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 20V | 5.47A | 29mΩ | 10V | 500mV | 5.4nC | -55C | +150C | 740mW | Single | Enhancement | Reel |
Alpha & Omega Semiconductor![]() |
AOT290L ماسفت 100 ولت 140 آمپر
TO-220 N-Channel
|
1 : 480,778 Rials10 : 471,032 Rials100 : 464,536 Rials |
Through Hole | TO-220-3 | 1 | N-Channel | 100V | 140A | 3.5mΩ | 20V | 4.1V | 126nC | -55C | +175C | 500W | Single | Enhancement | Tube |
Nexperia![]() |
BSS138P,215 MOSFET BSS138P/SOT23/TO-236AB |
5 : 14,950 Rials50 : 14,483 Rials500 : 14,016 Rials3000 : 13,081 Rials |
SMD/SMT | SOT-23-3 | 1 | N-Channel | 60V | 360mA | 1.6Ω | ±20V | 900mV | 720pC | -55C | +150C | 420mW | Single | Enhancement | Reel |
در دستگاههای الکترونیکی استفاده میشود. معرفی ماسفت تحولی بزرگ در حوزه سوئیچینگ در الکترونیک ایجاد کرده است. از ماسفت علاوه بر استفاده به عنوان یک قطعه مجزا، در درون پردازندهها و حافظهها به صورت گستردهای استفاده میشود.
ترانزیستور ماسفت دارای سه پایه به نامهای گیت (Gate) ، درین (Drain) و سورس (Source) است. از نظر ساختاری این ترانزیستورها دارای دو تیپ اصلی هستند: ماسفت های نوع تخلیه که این ترانزیستورها در حالت نرمال یا بدون بایاس مانند یک کلید بسته هستند و با تحریک پایه گیت به حالت مدار باز تغییر حالت میدهند. و ماسفت های نوع افزایشی که برخلاف نوع قبلی در حالت نرمال مانند یک کلید باز هستند و پس از تحریک پایه گیت به حالت مدار بسته تغییر حالت میدهند، همچنین ماسفتها مانند ترانزیستورهای دو قطبی دارای نوع مثبت و منفی هستند.
اگر بخواهیم ماسفتها را از نگاه ولتاژ راه انداز گیت بررسی و طبقه بندی کنیم، باید این قطعات را به دو نوع ماسفت پاور و ماسفت لاجیک لِوِل تقسیم بندی کنیم.
از ماسفتهای لاجیک لِوِل در عملیات سوئیچ با ولتاژ و جریان کم استفاده میشود، این ماسفتها معمولا به صورت مستقیم توسط میکروکنترلرها کنترل و راهاندازی میشوند. اکثر ماسفتهای SMD ریز مانند ماسفتهای با پکیج SOT-23 از این خانواده ماسفت هستند. همچنین در این خانواده ما قطعاتی که شامل یک جفت ماسفت در یک پکیج باشند را داریم. این خانواده از ماسفتها دارای تنوع بسیار زیادی هستند و به راحتی میتوان برای این ماسفتها مشابه و جایگزین پیدا کرد.
نوع دیگر ماسفتها نوع پاور ماسفت یا ماسفتهای توان بالا هستند. سطح ولتاژ تحریک گیت این ماسفتها بین 10 تا 20 ولت است. از این قطعات به صورت گسترده ای در منابع تغذیه سوئیچینگ و مبدل های ولتاژ استفاده میگردد. این ماسفتها دارای ولتاژ قابل تحمل بسیار متفاوت از حدود 20 ولت تا 1000 ولت هستند و همچنین داری سوئیچ جریان از حدود چند آمپر تا چند صد آمپر هستند. به صورت کلی مقاومت حالت روشن در ماسفتها با ولتاژ قابل تحمل در آنها رابطه مستقیم دارد. مدلهای دارای ولتاژ پایین بیشتر برای استفاده در خودرو طراحی شدهاند و دارای مقاومت حالت روشن بسیار کمی هستند و به راحتی میتوان آنها را با رلهها جایگزین نمود.
هر ماسفت دارای چندین مشخصه مهم است که حتما باید در هنگام خرید ترانزیستور ماسفت به آن دقت کرد. این موارد شامل ولتاژ قابل تحمل، جریان نامی، دمای کاری، مقاومت در حالت روشن، سرعت سوئیچ و پکیج قطعه است که در ادامه هر کدام از این ویژگیها توضیح داده میشود.
حداکثر ولتاژ قابل تحمل بین پایههای سورس و درین است. این پارامتر در ماسفتها یک مقدار مطلق است و نباید از آن فراتر رفت. حداکثر ولتاژ یک ماسفت، ولتاژی است که دستگاه میتواند بدون آسیب در شرایط ایده آل تحمل کند. ماسفتها بسته به نوع کاربرد در ولتاژهای مختلف از چند ولت تا چند صد ولت وجود دارند.
جریان نامی برای ماسفت حداکثر جریانی است که دستگاه میتواند در شرایط مشخص بدون آسیب رسیدن تحمل کند. جریان ماسفتها از چند میلی آمپر برای دستگاههای سیگنال کوچک تا چند صد آمپر برای دستگاههای قدرت متغیر است.
هنگام انتخاب ماسفت برای یک کاربرد خاص، به این نکته مهم توجه کنید که حداکثر جریانی را که دستگاه در معرض آن قرار میگیرد از جریان نامی ماسفت تجاوز نکند. تجاوز از جریان نامی میتواند باعث داغ شدن بیش از حد ماسفت شود و منجر به خرابی یا آسیب دستگاه شود.
دمای کاری یک ماسفت محدوده دمایی است که دستگاه میتواند در آن ایمن و قابل اطمینان کار کند. محدوده دمای کاری ماسفت به عوامل مختلفی مانند ساختار دستگاه، خواص مواد، نوع پکیج ماسفت بستگی دارد. ماسفت ها معمولاً برای عملکرد در یک محدوده دمایی خاص طراحی میشوند که توسط سازنده در برگه اطلاعات دستگاه مشخص شده است.
محدوده دما معمولاً براساس دمای جانکشن بیان میشود که دمای مواد نیمه هادی داخل ماسفت است. معمولاً حداکثر دمای اتصال برای ماسفتها حدود 100-200 درجه سانتیگراد است که بستگی به ساختار و نوع پکیج ماسفت دارد. تجاوز از حداکثر دمای کاری میتواند باعث از کار افتادن ماسفت و کاهش طول عمر آن و یا حتی آسیب دائمی شود.
سرعت سوئیچ ماسفت به سرعت تغییر حالت دستگاه بین حالتهای روشن و خاموش اشاره دارد. سرعت سوئیچینگ پارامتر مهمی است که هنگام طراحی مدارهایی که نیاز به زمان سوئیچ سریع دارند، مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایوهای موتور و مدارهای مدولاسیون عرض پالس (PWM) باید در نظر گرفته شود.
سرعت سوئیچینگ ماسفت تحت تأثیر عوامل مختلفی از جمله ظرفیت گیت، ولتاژ درایو گیت و مقاومت داخلی دستگاه است. معمولاً ماسفتهایی با ظرفیت گیت کوچکتر و مقاومت داخلی کمتر میتوانند سریعتر از آنهایی که ظرفیت و مقاومت بالاتری دارند، سوئیچ شوند. سرعت سوئیچینگ ماسفت معمولاً توسط سازنده در برگه اطلاعات دستگاه مشخص میشود و بر حسب Rise Time و Fall Time بیان میشود.
پکیج ماسفت
پکیج ماسفت به محفظه فیزیکی که نیمه هادی در آن بسته بندی می شود، اطلاق می گردد. پکیج ماسفت چندین عملکرد مهم از جمله محافظت از نیمه هادی در برابر شرایط محیطی، ایجاد اتصالات الکتریکی برای قطعه و دفع گرمای تولید شده در حین کار را انجام میدهد.
پکیجهای ماسفت در اندازهها و شکلهای مختلف وجود دارند که هر کدام برای کاربردها و شرایط کاری خاص طراحی شدهاند. برخی از پکیج های متداول ماسفت عبارتند از:
TO-220: یک پکیج محبوب برای ماسفتهای با قدرت متوسط است و دارای یک زبانه فلزی است که به عنوان هیت سینک عمل میکند و همچنین توسط آن قطعه به هیت سینک خارجی متصل میگردد.
DPAK (TO-252): یک پکیج SMD است که معمولاً برای ماسفتهای با توان کم تا متوسط استفاده میشود.
D2PAK(TO-263): یک نسخه بزرگتر از DPAK است و برای ماسفتهای با قدرت بالاتر استفاده میشود.
SOIC (Small Outline Integrated Circuit): یک پکیج SMD است که معمولاً برای ماسفتهای با توان کم در مدارهای دیجیتال و میکروکنترلرها استفاده میشود.
QFN (Quad Flat No-Lead): یک پکیج SMD است که دارای یک پد بزرگ در زیر خود است که به عموان هیت سینک هم عمل میکند و گرمای قطعه از طریق این پایه به بیرون منتقل میشود. از این پکیج معمولاً برای ماسفتهای قدرت با ولتاژ پایین استفاده میشود و عملکرد حرارتی عالی را ارائه میدهد.
علاوه بر موارد فوق در هنگام خرید پاور ماسفت باید به کیفیت و اورجینال بودن آن دقت نمود. قیمت ماسفت با توجه به تنوع بسیار زیاد این المان از حدود چند صد تومان تا چند صد هزار تومان متغیر است و به طور کلی قیمت ماسفتهای سیگنال بسیار کمتر از پاور ماسفتها است. قیمت ماسفتهای توان بالا با توجه به ولتاژ قابل تحمل و جریان نامی و پکیج آنها متفاوت است.
خرید ماسفت اصلی به دلیل نقش حساس این قطعه در مدارات الکترونیک، بسیار حائز اهمیت است. در هنگام خرید ترانزیستور ماسفت حتما از فروشنده گارانتی و یا مهلت تست بخواهید تا بتوانید در صورت بروز مشکل، قطعات را مرجوع کنید، همچنین در هنگام خرید Mosfet SMD و یا ماسفتهای ارزان، تعداد بالاتری خریداری نمایید تا نیاز به تست قطعات در فواصل زمانی کوتاه نباشد.
همچنین در هنگام تعمیرات اگر ماسفت قدیمی باشد و نیاز باشد تا ماسفت دیگری را جایگزین کنیم، موارد زیر را رعایت کنید:
اگر پاور ماسفت به صورت موازی استفاده شده بود، حتما هر دو پاور ماسفت را تعویض کنید.
حتما ماسفت با مشخصات برابر یا توان بیشتر را جایگزین کنید.
در مدارات توان بالا قبل از تعویض و تست دستگاه المانهای اِسنابر را بررسی کنید و از صحت آنها اطمینان حاصل نمایید.
حتما از اتصال درست هیت سینک به ماسفت اطمینان حاصل فرمایید.
ماسفت کانال P نوعی ترانزیستور اثر میدانی است که از حفرهها به عنوان حامل بار یا جریان در کانال بین پایههای سورس و درین استفاده میکند. کانال زمانی تشکیل میشود که یک ولتاژ منفی به ترمینال گیت اعمال شود ، گیت توسط یک لایه اکسید نسبت به کانال عایق شده است. ولتاژ منفی گیت حفرهها را از بستر نوع p جذب میکند و یک مسیر رسانا برای عبور جریان از پایه سورس به سمت پایه درین ایجاد میکند. ماسفت کانال P را میتوان برای سوئیچینگ یا تقویت سیگنالهای الکترونیکی و همچنین برای مدارهای منطقی کم توان در ترکیب با ماسفتهای کانال N استفاده کرد.
تفاوت بین ماسفت کانال P و کانال N عمدتاً به نوع حاملهای بار، قطبیت ولتاژ گیت و موقعیت قرار گرفتن بار در مدار مربوط میشود. برخی از تفاوتهای اصلی این دو نوع ماسفت عبارتند از:
1. حامل های بار: ماسفتهای کانال P از حفرهها به عنوان حامل بار استفاده میکنند، در حالی که ماسفتهای کانال N از الکترونها استفاده میکنند. الکترونها تحرک بالاتری نسبت به حفرهها دارند، به همین دلیل میتوانند سریعتر و راحتتر در طول کانال حرکت کنند.
2. ولتاژ گیت: ماسفتهای کانال P برای روشن شدن به ولتاژ گیت سورس منفی ( VGS ) نیاز دارند، در حالی که ماسفتهای کانال N برای روشن شدن به VGS مثبت نیاز دارند. مقدار VGS تعیین میکند که چه مقدار جریان میتواند از کانال عبور کند .
3. موقعیت بار: ماسفتهای کانال P معمولاً به سمت مثبت بار ( VCC ) وصل میشوند، در حالی که ماسفتهای کانال N معمولاً به سمت منفی بار (زمین) متصل میشوند. این موضوع بر نحوه کنترل MOSFET توسط یک سیگنال منطقی مانند میکروکنترلر تأثیر میگذارد. به عنوان مثال، یک سیگنال منطقی با سطح 1 (5 ولت) یک ماسفت کانال N را روشن میکند، اما یک ماسفت کانال P را خاموش میکند.
ترانزیستور ماسفت در دو آرایش کانال P یا PMOS و ماسفت کانال N یا NMOS (به دو صورت کاهشی یا افزایشی) تولید میگردند. ماسفتها بیشتر به عنوان سوئیچ الکترونیکی یا تقویت کننده مورد استفاده قرار میگیرند. پارامترهای ولتاژ قابل تحمل وجریان عبوری از موارد مهم در انتخاب ماسفت میباشد.
برای خرید انواع پاور ماسفت، خرید ماسفت اس ام دی (SMD) و خرید ترانزیستور ماسفت از فروشگاه اینترنتی قطعات الکترونیکی در تهران حتما به لیون الکترونیک سر بزنید.